Транзистор BFX32 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BFX32. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 35V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 25V
Ток коллектора (Iк): 30mA
Температура перехода (Tj): 165єC
Граничная частота (Fгр): 500MHz
Коэффициент усиления (hFE): 30MIN
Производитель: STE
Применение: UHF, Low Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.