Транзистор BLV32F npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BLV32F. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
82W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
32V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
12A
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
2GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
60
Коэффициент усиления (hFE)
20/120
Производитель
PHILIPS
Искать BLV32F в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее