Транзистор BSV50F pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора BSV50F. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
12V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
400MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
5
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
ITT
Применение
Low Power, General Purpose
Искать BSV50F в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее