Транзистор BSV55P pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора BSV55P. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Ёмкость коллектора (Cк)
4.5
Коэффициент усиления (hFE)
40/150
Производитель
TI
Применение
Low Power, Switching, High Frecvency
Искать BSV55P в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее