Транзистор BT3227 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BT3227. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Температура перехода (Tj)
175єC
Ёмкость коллектора (Cк)
4
Коэффициент усиления (hFE)
30MIN
Производитель
RAYTHEON
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать BT3227 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее