Транзистор BT930T npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BT930T. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 45V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 45V
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 60MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 6
Коэффициент усиления (hFE): 200MIN
Производитель: RAYTHEON
Применение: Medium Power, High Voltage

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.