Транзистор BUF653 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BUF653. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
70W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
500V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
11V
Ток коллектора (Iк)
11A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
4MHz
Коэффициент усиления (hFE)
15/25
Производитель
TELEFUNKEN
Применение
High Voltage Switching Transistor
Искать BUF653 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее