Транзистор BUF660 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора BUF660. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 80W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 500V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 400V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 9V
- Ток коллектора (Iк)
- 14A
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 4MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 15MIN
- Производитель
- TELEFUNKEN
- Применение
- High Power, High Voltage, General Purpose
Искать BUF660 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.