Транзистор BUH2M20AP npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BUH2M20AP. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 40W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 2000V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 1200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 30mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 10MIN
Производитель: STE

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.