Транзистор BUR10 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BUR10. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
30W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
5A
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
50MHz
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
STE
Применение
RF, Power, General Purpose
Искать BUR10 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее