Транзистор BUR50 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BUR50. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
125V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
70A
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
10MHz
Коэффициент усиления (hFE)
20/100
Производитель
STE
Применение
High Power, High Voltage, General Purpose
Искать BUR50 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее