Транзистор BUT35 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BUT35. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 250W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100OV
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 700V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 40A
Температура перехода (Tj): 200єC
Коэффициент усиления (hFE): 15MIN
Производитель: MOTOROLA
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.