Транзистор BUT50P npn

Справочные характеристики биполярного транзистора BUT50P. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 100W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 850V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 500V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 8V
Ток коллектора (Iк): 8A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 30MIN
Производитель: MOTOROLA
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.