Транзистор C169 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора C169. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 625mW
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 9V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 1V
Ток коллектора (Iк): 3A
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 100MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 40
Коэффициент усиления (hFE): 180MIN
Производитель: TELEDYNE

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.