Транзистор C5T5551 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора C5T5551. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
180V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
160V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
160MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
2
Коэффициент усиления (hFE)
30MIN
Производитель
N/A
Искать C5T5551 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее