Транзистор CJD112 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора CJD112. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 20W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Ток коллектора (Iк): 2A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 25MHz
Коэффициент усиления (hFE): 1KMIN
Производитель: CENTRAL
Применение: Darlington

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.