Транзистор CK66B pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора CK66B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 80mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 35V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 8V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 100єC
Граничная частота (Fгр): 1.2MHz
Коэффициент усиления (hFE): 90MIN
Производитель: RAYTHEON
Применение: Low Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.