Транзистор CTN638 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора CTN638. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 1W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 60V
Ток коллектора (Iк): 1A
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 130MHz
Коэффициент усиления (hFE): 40/160
Производитель: SPRAGUE

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.