Транзистор D115 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора D115. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 400mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 245V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 180V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 200mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 145MHz
Коэффициент усиления (hFE): 22MIN
Производитель: N/A

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.