Транзистор D11B1055 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора D11B1055. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
100mW
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
130MHz
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
N/A
Искать D11B1055 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее