Транзистор D16E9 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора D16E9. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
25mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
135MHz
Коэффициент усиления (hFE)
60MIN
Производитель
GENERAL SEMI
Применение
Low Power, General Purpose
Искать D16E9 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее