Транзистор D60T6550 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора D60T6550. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 885W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 700V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 650V
Ток коллектора (Iк): 50A
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 7MHz
Коэффициент усиления (hFE): 10MIN
Производитель: GENERAL SEMI

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.