Транзистор D62T5060 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора D62T5060. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
1700W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
550V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
500V
Ток коллектора (Iк)
60A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
7MHz
Коэффициент усиления (hFE)
10MIN
Производитель
GENERAL SEMI
Искать D62T5060 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее