Транзистор DT1003 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора DT1003. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 600mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 6V
Ток коллектора (Iк): 300mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 1MHz
Коэффициент усиления (hFE): 36MIN
Производитель: ROHM

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.