Транзистор DT1110 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора DT1110. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 5W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 30V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 500KHz
Коэффициент усиления (hFE): 20/60
Производитель: ROHM

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.