Транзистор DT32-1050 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора DT32-1050. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 1700W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 1050V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 900V
Ток коллектора (Iк): 125A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 7MIN
Производитель: N/A

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.