Транзистор DTD163TS npn
Справочные характеристики биполярного транзистора DTD163TS. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 300mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 50V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 40V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 500mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Коэффициент усиления (hFE)
- 250MIN
- Производитель
- ROHM
- Применение
- Digital, Internal Rezistors (R1=6.8K. R2=10K)
Искать DTD163TS в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.