Транзистор DTN9000T npn

Справочные характеристики биполярного транзистора DTN9000T. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
830mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
450V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
50MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
8
Коэффициент усиления (hFE)
30MIN
Производитель
ROHM
Искать DTN9000T в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее