Транзистор DTN9001 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора DTN9001. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 400V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 350V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 35MHz
Коэффициент усиления (hFE): 40MIN
Производитель: ROHM

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.