Транзистор DTS660 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора DTS660. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 60W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 200V
Ток коллектора (Iк): 3.5A
Температура перехода (Tj): 140єC
Граничная частота (Fгр): 2.5MHz
Коэффициент усиления (hFE): 30/90
Производитель: ROHM

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.