Транзистор E20158 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора E20158. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
200W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
10A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
860MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
40T
Производитель
ERICSSON
Искать E20158 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее