Транзистор ERS100 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора ERS100. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 20MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 15
Коэффициент усиления (hFE): 35MIN
Производитель: N/A

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.