Транзистор ESM1000T npn

Справочные характеристики биполярного транзистора ESM1000T. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
400W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Ток коллектора (Iк)
150A
Температура перехода (Tj)
200єC
Коэффициент усиления (hFE)
12MIN
Производитель
STE
Применение
Power, Switching, General Purpose
Искать ESM1000T в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее