Транзистор ESM2012DV npn

Справочные характеристики биполярного транзистора ESM2012DV. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 175W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 150V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 125V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 120A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 1200MIN
Производитель: STE
Применение: Darlington, Power, Switching

Искать ESM2012DV в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.