Транзистор ESM635 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора ESM635. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 45V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 45V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 1A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 40/250
Производитель: STE
Применение: Medium Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.