Транзистор ESM855 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора ESM855. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 150W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 850V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 20A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 10MIN
Производитель: STE
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.