Транзистор ET5060 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора ET5060. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 125W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 350V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 20A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 8MHz
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: N/A
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.