Транзистор ET670 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора ET670. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 250mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 1.5V
Ток коллектора (Iк): 1.5A
Температура перехода (Tj): 100єC
Граничная частота (Fгр): 500KHz
Коэффициент усиления (hFE): 40MIN
Производитель: N/A
Применение: Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.