Транзистор ETP2008 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора ETP2008. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 175V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 110V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 20MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 7
Коэффициент усиления (hFE): 65MIN
Производитель: N/A

Искать ETP2008 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.