Транзистор ETP5095 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора ETP5095. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
500V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
1V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
20MHz
Коэффициент усиления (hFE)
15MIN
Производитель
N/A
Искать ETP5095 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее