Транзистор F112 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора F112. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
85W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Ток коллектора (Iк)
7.5A
Температура перехода (Tj)
140єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Коэффициент усиления (hFE)
10/50
Производитель
AMF*
Искать F112 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее