Транзистор FN1A4M pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора FN1A4M. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 35MIN
Производитель: RAYTHEON
Применение: Low Power, Switching, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.