Транзистор FOS101 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора FOS101. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
120MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
6
Коэффициент усиления (hFE)
200MIN
Производитель
ITT
Искать FOS101 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее