Транзистор FOS102 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора FOS102. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
360mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
600MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
6
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
ITT
Искать FOS102 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее