Транзистор GE10006 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора GE10006. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 175W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 450V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 350V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 8V
- Ток коллектора (Iк)
- 10A
- Температура перехода (Tj)
- 200єC
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 325
- Коэффициент усиления (hFE)
- 30MIN
- Производитель
- GENERAL SEMI
- Применение
- RF, Power, Darlington
Искать GE10006 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.