Транзистор GE10016 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GE10016. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
250W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
500V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
50A
Температура перехода (Tj)
175єC
Коэффициент усиления (hFE)
25MIN
Производитель
GENERAL SEMI
Применение
Darlington, Power
Искать GE10016 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее