Транзистор GE5061 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GE5061. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 125W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 450V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 8V
Ток коллектора (Iк): 20A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: GENERAL SEMI
Применение: Darlington, Power

Аналоги

MJ10004

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.