Транзистор GE6060 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GE6060. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 125W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 400V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 350V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 20A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 40MIN
Производитель: GENERAL SEMI
Применение: RF, Power, Darlington

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.