Транзистор GE6062 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GE6062. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
125W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
500V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
450V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
20A
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
GENERAL SEMI
Применение
RF, Power, Darlington
Искать GE6062 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее