Транзистор GES3499 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GES3499. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 6V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 75MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 20
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: GENERAL SEMI
Применение: Medium Power, High Voltage

Аналоги

2N3499

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.